TCAD modeling of radiation-induced defects in 4H-SiC diodes

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Gaggl, Philipp, Burin, Jürgen, Gsponer, Andreas, Waid, Simon Emanuel, Thalmeier, Richard, Bergauer, Thomas
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Instrumentation and Detectors
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2407.11776