TCAD modeling of radiation-induced defects in 4H-SiC diodes

Fuente: arXiv
Salvato in:
Dettagli Bibliografici
Autori principali: Gaggl, Philipp, Burin, Jürgen, Gsponer, Andreas, Waid, Simon Emanuel, Thalmeier, Richard, Bergauer, Thomas
Natura: Preprint
Pubblicazione: 2024
Soggetti:
Accesso online:
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!