Complementary two dimensional carrier profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Fiorenza, Patrick, Zignale, Marco, Zanetti, Edoardo., Alessandrino, Mario S., Carbone, Beatrice, Guarnera, Alfio, Saggio, Mario, Giannazzo, Filippo, Roccaforte, Fabrizio
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics Materials Science
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https://arxiv.org/abs/2407.13370