Ultra-steep slope cryogenic FETs based on bilayer graphene

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Icking, E., Emmerich, D., Watanabe, K., Taniguchi, T., Beschoten, B., Lemme, M. C., Knoch, J., Stampfer, C.
Format:	Preprint
Publié:	2024
Sujets:	Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science
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https://arxiv.org/abs/2408.01111