In situ etching of \b{eta}-Ga2O3 using tert-butyl chloride in an MOCVD system

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Gorsak, Cameron A., Bowman, Henry J., Gann, Katie R., Buontempo, Joshua T., Smith, Kathleen T., Tripathi, Pushpanshu, Steele, Jacob, Jena, Debdeep, Schlom, Darrell G., Xing, Huili Grace, Thompson, Michael O., Nair, Hari P.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Materials Science
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https://arxiv.org/abs/2408.01574