Ultra-thin strain-relieving Si$_{1-x}$Ge$_x$ layers enabling III-V epitaxy on Si

Fuente: arXiv
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Auteurs principaux: Smith, Trevor R., McDermott, Spencer, Patel, Vatsalkumar, Anthony, Ross, Hedge, Manu, Knights, Andrew P., Lewis, Ryan B.
Format: Preprint
Publié: 2024
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