Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond FETs with $V_{th} < -6V$ and High On-Current

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Qu, Chunlin, Maini, Isha, Guo, Qing, Stacey, Alastair, Moran, David A. J.
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2024
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