Bilayer TeO2: The First Oxide Semiconductor with Symmetric Sub-5-nm NMOS and PMOS

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Xu, Linqiang, Zhao, Liya, Lau, Chit Siong, Zhang, Pan, Xu, Lianqiang, Li, Qiuhui, Fang, Shibo, Ang, Yee Sin, Sun, Xiaotian, Lu, Jing
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2408.07339