AlGaAs/GeSn p-i-n diode interfaced with ultrathin Al$_2$O$_3$

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Liu, Yang, Li, Yiran, Acharya, Sudip, Zhou, Jie, Gong, Jiarui, Abrand, Alireza, Lu, Yi, Vincent, Daniel, Haessly, Samuel, Mohseni, Parsian K., Yu, Shui-Qing, Ma, Zhenqiang
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics Materials Science
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https://arxiv.org/abs/2408.08451