Dielectric Reliability and Interface Trap Characterization in MOCVD grown In-situ Al$_2$O$_3$ on $β$-Ga$_2$O$_3$

Fuente: arXiv
Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteurs principaux: Roy, Saurav, Bhattacharyya, Arkka, Peterson, Carl, Krishnamoorthy, Sriram
Format: Preprint
Publié: 2024
Sujets:
Accès en ligne:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!