Enhancing the reactivity of Si(100)-Cl toward PBr3 by charging Si dangling bonds
Fuente:
arXiv
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | Pavlova, T. V., Shevlyuga, V. M. |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Publié: |
2024
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires
Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025)
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025)
Vacancy diffusion on a brominated Si(100) surface: Critical effect of the dangling bond charge state
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025)
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025)
Transitions between positive and negative charge states of dangling bonds on a halogenated Si(100) surface
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025)
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025)
PBr3 Adsorption and Dissociation on the Si(100) Surface
par: Shevlyuga, Vladimir M., et autres
Publié: (2025)
par: Shevlyuga, Vladimir M., et autres
Publié: (2025)
Thermal conductance across bonded SiOx-SiOx interfaces in hybrid bonding process
par: Zhang, Xingqiang, et autres
Publié: (2026)
par: Zhang, Xingqiang, et autres
Publié: (2026)
Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition
par: Voitovych, M. V., et autres
Publié: (2025)
par: Voitovych, M. V., et autres
Publié: (2025)
Spin-to-charge conversion in orthorhombic RhSi topological semimetal crystalline thin films
par: Panda, Surya N., et autres
Publié: (2024)
par: Panda, Surya N., et autres
Publié: (2024)
Magnetoresistance in ZrSi$X$ ($X=$ S, Se, Te) nodal-line semimetals
par: Zhang, ShengNan, et autres
Publié: (2025)
par: Zhang, ShengNan, et autres
Publié: (2025)
Optical conductivity and band gap in the double-Weyl candidate SrSi2 at ambient pressure
par: Maulana, L. Z., et autres
Publié: (2025)
par: Maulana, L. Z., et autres
Publié: (2025)
Electrical Characterization of hexagonal SiGe
par: Bollier, Isabelle, et autres
Publié: (2025)
par: Bollier, Isabelle, et autres
Publié: (2025)
Anomalous Hall effect in highly c-plane oriented Mn$_{3}$Ge/Si(100) thin films grown by pulsed laser deposition
par: Sinha, Indraneel, et autres
Publié: (2025)
par: Sinha, Indraneel, et autres
Publié: (2025)
Room Temperature Quantum Control of N-Donor Electrons at Si/SiO2 Interface
par: Chakraborty, Soumya, et autres
Publié: (2024)
par: Chakraborty, Soumya, et autres
Publié: (2024)
Chiral Topological Phononic Quasiparticles in Enantiomeric Crystals SrSi$_2$ and BaSi$_2$
par: Wang, Yong-Kun, et autres
Publié: (2025)
par: Wang, Yong-Kun, et autres
Publié: (2025)
Altermagnetic variants in thin films of Mn5Si3
par: Rial, Javier, et autres
Publié: (2024)
par: Rial, Javier, et autres
Publié: (2024)
Spatially resolved random telegraph fluctuations of a single trap at the Si/SiO2 interface
par: Cowie, Megan, et autres
Publié: (2024)
par: Cowie, Megan, et autres
Publié: (2024)
Refining Au/Sb alloyed ohmic contacts in undoped Si/SiGe strained quantum wells
par: Kynshi, LuckyDonald L, et autres
Publié: (2025)
par: Kynshi, LuckyDonald L, et autres
Publié: (2025)
Pb-intercalated epitaxial graphene on SiC: Full insight into band structure and orbital character of interlayer Pb, and charge transfer into graphene
par: Matta, Bharti, et autres
Publié: (2025)
par: Matta, Bharti, et autres
Publié: (2025)
Isotropic and anisotropic spin-dependent transport in epitaxial Fe$_3$Si
par: Soya, Nozomi, et autres
Publié: (2025)
par: Soya, Nozomi, et autres
Publié: (2025)
First-principles predictions of band alignment in strained Si/Si1-xGex and Ge/Si1-xGex heterostructures
par: Vegh, Nathaniel M., et autres
Publié: (2026)
par: Vegh, Nathaniel M., et autres
Publié: (2026)
Temperature-dependent photoluminescence dynamics of CsPbBr$_3$ and CsPb(Cl,Br)$_3$ perovskite nanocrystals in a glass matrix
par: Kulebyakina, Evgeniya V., et autres
Publié: (2023)
par: Kulebyakina, Evgeniya V., et autres
Publié: (2023)
Ab initio and nuclear inelastic scattering studies of Fe$_3$Si/GaAs heterostructures
par: Sikora, O., et autres
Publié: (2019)
par: Sikora, O., et autres
Publié: (2019)
Observation of the anomalous Nernst effect in altermagnetic candidate Mn5Si3
par: Badura, Antonin, et autres
Publié: (2024)
par: Badura, Antonin, et autres
Publié: (2024)
Computational characterization of novel nanostructured materials: A case study of NiCl$_2$
par: Kalika, Elizaveta B., et autres
Publié: (2023)
par: Kalika, Elizaveta B., et autres
Publié: (2023)
Enhanced performance of MoS$_2$/SiO$_2$ field-effect transistors by hexamethyldisilazane (HMDS) encapsulation
par: Jana, Santu Prasad, et autres
Publié: (2024)
par: Jana, Santu Prasad, et autres
Publié: (2024)
Self-Assembly of a halogenated organic molecule on the Si(111) $\surd$3$\times$$\surd$3-Ag surface
par: Liu, R, et autres
Publié: (2024)
par: Liu, R, et autres
Publié: (2024)
Tunneling probe-based identification of the sp${}^3$ dangling bond on the H-C(100):$2\times1$ surface
par: Oberg, Lachlan, et autres
Publié: (2026)
par: Oberg, Lachlan, et autres
Publié: (2026)
Enhanced Magnetization by Defect-Assisted Exciton Recombination in Atomically Thin CrCl$_3$
par: Zhang, Xin-Yue, et autres
Publié: (2023)
par: Zhang, Xin-Yue, et autres
Publié: (2023)
Interaction of dopants with the I$_3$-type basal stacking fault in hexagonal-diamond Si
par: Túnica, Marc, et autres
Publié: (2025)
par: Túnica, Marc, et autres
Publié: (2025)
Gate-tuneable single-photon emitters in WSe2 monolayer created via AFM nanoindentation on rigid SiO2/Si substrates
par: Dash, Ajit Kumar, et autres
Publié: (2026)
par: Dash, Ajit Kumar, et autres
Publié: (2026)
Rashba effect modulation in two-dimensional A2B2Te6 (A = Sb, Bi; B = Si, Ge) materials via charge transfer
par: Wu, Haipeng, et autres
Publié: (2025)
par: Wu, Haipeng, et autres
Publié: (2025)
FeCuNbSiB thin films with sub-Oersted coercivity
par: Alves, J. M., et autres
Publié: (2024)
par: Alves, J. M., et autres
Publié: (2024)
First-Principles Investigation of Surface-Induced Effects on the Properties of Divacancy Qubits in 3C-SiC
par: Viglione, Rosario G., et autres
Publié: (2025)
par: Viglione, Rosario G., et autres
Publié: (2025)
Model for charge carrier spectra in topological semimetals of the TaAs family
par: Mikitik, G. P., et autres
Publié: (2025)
par: Mikitik, G. P., et autres
Publié: (2025)
Epitaxial growth of mono- and (twisted) multilayer graphene on SiC(0001)
par: Yin, Hao, et autres
Publié: (2024)
par: Yin, Hao, et autres
Publié: (2024)
Chirality-Driven Orbital Angular Momentum and Circular Dichroism in CoSi
par: Brinkman, Stefanie Suzanne, et autres
Publié: (2024)
par: Brinkman, Stefanie Suzanne, et autres
Publié: (2024)
Reducing disorder in Ge quantum wells by using thick SiGe barriers
par: Costa, Davide, et autres
Publié: (2024)
par: Costa, Davide, et autres
Publié: (2024)
Blocking transition of interface traps in MoS$_2$-on-SiO$_2$ FETs
par: Jana, Santu Prasad, et autres
Publié: (2023)
par: Jana, Santu Prasad, et autres
Publié: (2023)
Nuclear spin-free 70Ge/28Si70Ge quantum well heterostructures grown on industrial SiGe-buffered wafers
par: Daoust, P., et autres
Publié: (2025)
par: Daoust, P., et autres
Publié: (2025)
SP-STM study of the multi-Q phases in GdRu2Si2
par: Spethmann, Jonas, et autres
Publié: (2024)
par: Spethmann, Jonas, et autres
Publié: (2024)
Valley polarization of Landau levels driven by residual strain in the ZrSiS surface band
par: Butler, Christopher J., et autres
Publié: (2024)
par: Butler, Christopher J., et autres
Publié: (2024)
Documents similaires
-
Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025) -
Vacancy diffusion on a brominated Si(100) surface: Critical effect of the dangling bond charge state
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025) -
Transitions between positive and negative charge states of dangling bonds on a halogenated Si(100) surface
par: Pavlova, T. V., et autres
Publié: (2025) -
PBr3 Adsorption and Dissociation on the Si(100) Surface
par: Shevlyuga, Vladimir M., et autres
Publié: (2025) -
Thermal conductance across bonded SiOx-SiOx interfaces in hybrid bonding process
par: Zhang, Xingqiang, et autres
Publié: (2026)