Buchumschlag

Simplified EPFL GaN HEMT Model

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Jazaeri, Farzan, Shalchian, Majid, Yesayan, Ashkhen, Rassekh, Amin, Mangla, Anurag, Parvais, Bertrand, Sallese, Jean-Michel
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Modeling the Effects of Interface Traps on DC Characteristics in GaN High‐Electron‐Mobility Transistors
von: Amirali Chalechale, et al.
Veröffentlicht: (2025)

3 kV Monolithic Bidirectional GaN HEMT on Sapphire
von: Alam, Md Tahmidul, et al.
Veröffentlicht: (2024)

AlN/Si interface engineering to mitigate RF losses in MOCVD grown GaN-on-Si substrates
von: Cardinael, Pieter, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Investigation of RF performance of Ku-band GaN HEMT device and an in-depth analysis of short channel effects
von: Raychaudhuri, Jagori, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Design of a High-Power and High-Efficiency GaN-HEMT VCO Based on an Inverse Class-F Amplifier
von: Mi, Junlin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Reduction of self-heating effects in GaN HEMT via h-BN passivation and lift-off transfer to diamond substrate: a simulation study
von: Tijent, Fatima Z., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Gated-Channel Conductivity Modulation by Hole Storage Effect Under Pulsed Conditions in p-GaN Gate Double Channel HEMT
von: Liao, Hang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Crack-free high composition (>35%) thick (>30 nm) barrier AlGaN/AlN/GaN HEMT on sapphire with record low sheet resistance
von: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Date, Mihir, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates
von: Orfao, B., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Microwave Performance of all MOCVD-grown AlScN/GaN MIS-HEMTs on Semi-Insulating GaN Substrates
von: Cao, Can, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Effect of current on terahertz plasmons in AlGaN/GaN heterostructures
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Quantum oscillations of holes in GaN
von: Chang, Chuan F. C., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Frequency-Resolved Forward Capacitance in GaN-based LEDs
von: Li, Yuchen, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Polarity-induced selective area epitaxy of GaN nanowires
von: Schiaber, Ziani de Souza, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Two-Temperature Principle for Electrothermal Performance Evaluation of GaN HEMTs
von: Shen, Yang, et al.
Veröffentlicht: (2023)

InGaN Nanopixel Arrays on Single Crystal GaN Substrate
von: Anand, Nirmal, et al.
Veröffentlicht: (2025)

High-Performance Self-Powered Photoelectrochemical Detection Using Scalable InGaN/GaN Nanowire Arrays
von: Kumawat, Kishan Lal, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Shubnikov-de Haas oscillations of two-dimensional electron gases in AlYN/GaN and AlScN/GaN heterostructures
von: Chen, Yu-Hsin, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Frequency multiplication in Terahertz band using AlGaN/GaN plasmonic crystals
von: Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Impact of Quantum Well Thickness on Efficiency Loss in InGaN/GaN LEDs: Challenges for Thin-Well Designs
von: Li, Xuefeng, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN
von: Papamichail, Alexis, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Unusually high-density 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Potential of Graphene/AlGaN/GaN heterostructures to study the drag and two-stream instability effects
von: Rehman, A., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Spectral and Small-Signal Electroluminescence Analysis of Carrier Dynamics in Dual-Color InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
von: Li, Xuefeng, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Comprehensive TCAD Simulation Study of High Voltage (>650V) Common Drain Bidirectional AlGaN/GaN HEMTs
von: Alam, Md Tahmidul, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Impacts of Backside Insulation on the Dynamic On-Resistance of Lateral p-GaN HEMTs-on-Si
von: Wang, Yu-Xuan, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Tunnel Junction-Enabled Monolithically Integrated GaN Micro-Light Emitting Transistor
von: Rahman, Sheikh Ifatur, et al.
Veröffentlicht: (2024)

On the importance of Ni-Au-Ga interdiffusion in the formation of a Ni-Au / p-GaN ohmic contact
von: Duraz, Jules, et al.
Veröffentlicht: (2024)

On Apparent Absence of Green Gap in InGaN/GaN Quantum Disks and Wells Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
von: Sadaf, Sharif Md., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Unraveling the Origin of Mysterious Luminescence peak at 3.45 eV in GaN Nanowires
von: Bhunia, Swagata, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN by multimodal stimulated Raman scattering microscopy
von: Takahashi, Shun, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Hot LO Phonon-Induced RF Nonlinearity in GaN High-Electron-Mobility Transistors
von: Dastider, Ankan Ghosh, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Hybrid Classical-Quantum Neural Networks for Multi-Characteristic Co-Optimization of Recessed-Gate AlGaN/GaN MIS-HEMTs
von: Rai, Rushat, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz
von: Bai, Ruixin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon Wafers
von: Kawamura, Fumio, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Observation of dielectrically confined excitons in ultrathin GaN nanowires up to room temperature
von: Zettler, Johannes K., et al.
Veröffentlicht: (2024)

A Promising Ohmic Contacts Approach for High-Al AlxGa1-xN (x>0.6) Channel HEMTs with AlN/GaN Digital Alloy Channel
von: Jamil, Tariq, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Selective-injection GaN Heterojunction Bipolar Transistors with 275 kA/cm$^2$ Current Density
von: Xia, Zhanbo, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Epitaxial Sc$_x$Al$_{1-x}$N on GaN is a High K Dielectric
von: Casamento, Joseph, et al.
Veröffentlicht: (2021)