Nernst Plateau in the Quantum Limit of Low-Carrier-Density Topological Insulators

Fuente: arXiv

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Zhao, Peng-Lu, Zhang, J. L., Lu, Hai-Zhou, Niu, Qian
Format:	Preprint
Publié:	2024
Sujets:	Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science Strongly Correlated Electrons
Accès en ligne:	Acceder al recurso
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Internet

https://arxiv.org/abs/2409.07199