:: Library Catalog

Buchumschlag

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Muduli, Manisha, Gajaowski, Nathan, Jung, Hyemin, Nooman, Neha, Bhardwaj, Bhupesh, Schwartz, Mariah, Lee, Seunghyun, Krishna, Sanjay
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics
Online-Zugang:	https://arxiv.org/abs/2409.20406
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

Comparative Study of InGaAs and GaAsSb Nanowires for Room Temperature Operation of Avalanche Photodiodes at 1.55 μm
von: Sankar, Shrivatch, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Active Interface Characteristics of Heterogeneously Integrated GaAsSb/Si Photodiodes
von: Muduli, Manisha, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Structural and Electrical Properties of Grafted Si/GaAsSb Heterojunction
von: Abbasi, Haris Naeem, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Growth interruption strategies for interface optimization in GaAsSb/GaAsN type-II superlattices
von: Braza, V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Temperature-Dependent Photoluminescence Spectra of GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs Single Quantum Wells under Different Excitation Intensities
von: V. M. Aquino
Veröffentlicht: (2007)

Lasing from SOI-integrated GaAsSb nanowires via resonator-driven optical feedback
von: Zöllner, J., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Quasi van der Waals Epitaxial Growth of GaAsSb Nanowires on Graphitic Substrate for Photonic Applications
von: Ren, Dingding, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Monolithic axial InGaAs quantum dot emitters in GaAs-based nanowires via Sb-mediated facet engineering
von: Jeong, Hyowon W., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Modelling of GaAsP/InGaAs/GaAs strain-balanced multiple-quantum well solar cells
von: C. I. Cabrera
Veröffentlicht: (2012)

Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells
von: C.I. Cabrera
Veröffentlicht: (2017)

Atomic layer etching of InGaAs using sequential exposures of atomic hydrogen and oxygen gas
von: Bayrak, Mete M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Low-density InGaAs/AlGaAs Quantum Dots in Droplet-Etched Nanoholes
von: Da Silva, Saimon F. Covre, et al.
Veröffentlicht: (2025)

GaSb-based Interband Cascade Laser with hybrid superlattice plasmon-enhanced claddings
von: Petrović, B., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Phonon interference effects in GaAs-GaP superlattice nanowires
von: Arya, Chaitanya, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Evidence of the Miniband Formation in InGaAs/InP Superlattices
von: Yu. A. Pusep
Veröffentlicht: (2006)

Infrared photometry with InGaAs detectors: First light with SPECULOOS
von: Pedersen, Peter P., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Lateral 2D superlattices in GaAs heterostructures with independent control of carrier density and modulation potential
von: Wang, D. Q., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Ground and Excited States Energy in InAs Quantum Dots in a Well InGaAs/GaAs Structures
von: Erick Velázquez-Lozada
Veröffentlicht: (2012)

Thermal stability of emission from single InGaAs/GaAs quantum dots at the telecom O-band
von: Holewa, Paweł, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Growth and characterization of Cd1−XZnXTe (0 ≤ x ≤ 1) nanolayers grown by isothermal closed space atomic layer deposition on GaSb and GaAs
von: R. S. Castillo Ojeda
Veröffentlicht: (2018)

Elimination of the acoustoelectric domain and increasing of the emission intensity by means of shunting the lateral current in the InGaAs/GaAs heterostructures
von: Belevskii, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Spatially Photoluminescence Spectroscopy of InAs/InGaAs Quantum Dot Nanostructures
von: Erick Velázquez-Lozada
Veröffentlicht: (2011)

Spin-orbit coupling in digital alloyed InGaAs quantum wells
von: Dong, Jason T., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Guided‐Mode Resonance Polarization‐Sensitive Narrowband InGaAs Photodetector
von: Junho Jang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Recent advances in InGaAs/InP single-photon detectors
von: Yu, Chao, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Flexible Epitaxial Lift‐Off InGaP/GaAs/InGaAs Triple‐Junction Solar Cells Integrated with Micro/Nanostructured Polymer Film
von: Ye‐Chan Kim, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Increasing the mobility and power-electronics figure of merit of AlGaN with atomically thin AlN/GaN digital-alloy superlattices
von: Pant, Nick, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Gain and Threshold Improvements of 1300 nm Lasers based on InGaAs/InAlGaAs Superlattice Active Regions
von: Babichev, Andrey, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Molecular beam epitaxy of wafer-scale O-band InAs/InGaAs quantum dots on GaAs for quantum photonics
von: Avdienko, Pavel S., et al.
Veröffentlicht: (2026)

Evolution of the surface morphology of GaSb epitaxial layers deposited by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (100) substrates
von: Jarosz, Dawid, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Spin-Dependent Conductance in Nonmagnetic InGaAs Asymmetric Double Barrier Devices
von: C. Moyses Araujo
Veröffentlicht: (2004)

Coherent spectroscopy of a single Mn-doped InGaAs quantum dot
von: Filipovic, Jovana, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Trion quantum coherence in site-controlled pyramidal InGaAs quantum dots
von: Barcan, R. A., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Indirect Excitons and Many-body Interactions in InGaAs Double Quantum Wells
von: Smallwood, Christopher L., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Enhanced mobility of ternary InGaAs quantum wells through digital alloying
von: Dong, Jason T., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Hybrid-Integrated InGaAs/InP SPAD Arrays for Quantum Communications
von: Dolphin, Joseph A., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Electronic properties of metamorphic GaSbBi films on GaAs
von: Hilska, Joonas, et al.
Veröffentlicht: (2024)

MBE-growth and characterization of InxGa1-xAs/GaAs (x=0.15) superlattice
von: B. Sarikavak
Veröffentlicht: (2008)

High‐Efficiency Flexible GaAs/InGaAs Dual‐Junction Solar Cells Fabricated by Metallic Nanoparticle‐Based Wafer Bonding
von: Yeongho Kim, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Comparison between InAs-based and GaSb-based Interband cascade lasers with hybrid superlattice plasmon-enhanced claddings
von: Petrović, B., et al.
Veröffentlicht: (2024)