Heat transfer enhancement of N-Ga-Al semiconductors heterogeneous interfaces
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Luo, Wenzhu, Yin, Ershuai, Wang, Lei, Lian, Wenlei, Wang, Neng, Li, Qiang |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2024
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Effects of Defects on Thermal Transport across Solid/Solid Heterogeneous Interfaces
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
Enhancing interfacial thermal conductance in Si/Diamond heterostructures by phonon bridge
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
Thermal Transport of GaN/Substrate Heterostructures under Non-Uniform Heat Source
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
Enhancing interfacial thermal transport by nanostructures: Monte Carlo simulations with ab initio phonon properties
di: Luo, Wenzhu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Luo, Wenzhu, et al.
Pubblicazione: (2024)
A topology optimisation framework to design test specimens for one-shot identification or discovery of material models
di: Ghouli, Saeid, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Ghouli, Saeid, et al.
Pubblicazione: (2025)
Enhanced Performance and Stability of Perovskite Solar Cells with Ag-Cu-Zn Alloy Electrodes
di: Sharma, Keshav Kumar, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Sharma, Keshav Kumar, et al.
Pubblicazione: (2025)
Improving the Electro-Optical Properties of MoS$_2$/rGO Hybrid Nanocomposites Using Liquid Crystals
di: Vasilev, A., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Vasilev, A., et al.
Pubblicazione: (2024)
(111) Facet-engineered SnO2 as Electron Transport Layer for Efficient and Stable Triple-Cation Perovskite Solar Cells
di: Sharma, Keshav Kumar, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Sharma, Keshav Kumar, et al.
Pubblicazione: (2025)
Drastic reduction of the slow scintillation component in highly luminescent Ce3+ and Mg2+ doped Lu2.5Gd0.5Ga2Al3O12 garnet powders
di: Procházková, Lenka Prouzová, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Procházková, Lenka Prouzová, et al.
Pubblicazione: (2025)
Observation of unconventional van der Waals multiferroics near room temperature
di: Wu, Yangliu, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Wu, Yangliu, et al.
Pubblicazione: (2023)
XDecomposer: Learning Prior-Free Set Decomposition for Multiphase X-ray Diffraction
di: Gao, Hanyu, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Gao, Hanyu, et al.
Pubblicazione: (2026)
Crack-free high composition (>35%) thick (>30 nm) barrier AlGaN/AlN/GaN HEMT on sapphire with record low sheet resistance
di: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Pubblicazione: (2023)
Improved operating voltage in InGaN-capped AlGaN-based DUV LEDs on bulk AlN substrates
di: Huang, H-W S., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Huang, H-W S., et al.
Pubblicazione: (2025)
AlGaAs/GeSn p-i-n diode interfaced with ultrathin Al$_2$O$_3$
di: Liu, Yang, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Liu, Yang, et al.
Pubblicazione: (2024)
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of AlScN Thin Films and AlScN/AlN/GaN Heterostructures
di: Vangipuram, Vijay Gopal Thirupakuzi, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Vangipuram, Vijay Gopal Thirupakuzi, et al.
Pubblicazione: (2025)
Si/AlN p-n heterojunction interfaced with ultrathin SiO2
di: Abbasi, Haris Naeem, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Abbasi, Haris Naeem, et al.
Pubblicazione: (2024)
Depth-Resolved Thermal Conductivity of HFCVD Diamond Films via Square-Pulsed Thermometry
di: Zhang, Kexin, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Zhang, Kexin, et al.
Pubblicazione: (2026)
Bismuth doping induced enhancement of the spin-orbit coupling strength in the prototype dilute ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As: a review
di: Wosinski, Tadeusz
Pubblicazione: (2024)
di: Wosinski, Tadeusz
Pubblicazione: (2024)
Energy Bands and Breakdown Characteristics in Al2O3/UWBG AlGaN Heterostructures
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2025)
In-situ tunable giant electrical anisotropy in a grating gated AlGaN/GaN two-dimensional electron gas
di: Wang, Ting-Ting, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Wang, Ting-Ting, et al.
Pubblicazione: (2024)
MOCVD growth and band offsets of \k{appa}-phase Ga2O3 on sapphire, GaN, AlN and YSZ substrates
di: Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, et al.
Pubblicazione: (2022)
Epitaxial Sc$_x$Al$_{1-x}$N on GaN is a High K Dielectric
di: Casamento, Joseph, et al.
Pubblicazione: (2021)
di: Casamento, Joseph, et al.
Pubblicazione: (2021)
Effect of extended defects on AlGaN QDs for electron-pumped UV-emitters
di: Cañas, Jesus, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Cañas, Jesus, et al.
Pubblicazione: (2023)
Barrier Electrostatics and Contact Engineering for Ultra-Wide Bandgap AlGaN HFETs
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2025)
High Breakdown Field Multi-kV UWBG AlGaN Transistors
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2026)
Demonstration of Si-doped Al-rich thin regrown Al(Ga)N films on AlN on sapphire templates with $\gt10^{15}/cm^3$ free carrier concentration using close-coupled showerhead MOCVD reactor
di: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Pubblicazione: (2024)
Low Leakage Ferroelectric Heteroepitaxial Al$_{0.7}$Sc$_{0.3}$N Films on GaN
di: Yazawa, Keisuke, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Yazawa, Keisuke, et al.
Pubblicazione: (2024)
Unusually high-density 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates
di: Matys, Maciej, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Matys, Maciej, et al.
Pubblicazione: (2024)
High Breakdown Electric Field (> 5 MV/cm) in UWBG AlGaN Transistors
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shin, Seungheon, et al.
Pubblicazione: (2025)
Shubnikov-de Haas oscillations of two-dimensional electron gases in AlYN/GaN and AlScN/GaN heterostructures
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2026)
Interplay of carrier density and mobility in Al-Rich (Al,Ga)N-Channel HEMTs: Impact on high-power device performance potential
di: Mondal, Badal, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Mondal, Badal, et al.
Pubblicazione: (2025)
Interfacial Polarization Switching in Al0.92Sc0.08N/GaN Heterostructures Grown by Sputter Epitaxy
di: Wolff, Niklas, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wolff, Niklas, et al.
Pubblicazione: (2025)
Lattice matched heterogeneous nucleation eliminate defective buried interface in halide perovskites
di: Ahlawat, Paramvir, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Ahlawat, Paramvir, et al.
Pubblicazione: (2024)
Low-density InGaAs/AlGaAs Quantum Dots in Droplet-Etched Nanoholes
di: Da Silva, Saimon F. Covre, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Da Silva, Saimon F. Covre, et al.
Pubblicazione: (2025)
Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2025)
Motion Compensation for Real Time Ultrasound Scanning in Robotically Assisted Prostate Biopsy Procedures
di: Markulin, Matija, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Markulin, Matija, et al.
Pubblicazione: (2026)
Heimdall: test-time scaling on the generative verification
di: Shi, Wenlei, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shi, Wenlei, et al.
Pubblicazione: (2025)
Suppression of Phase Separation in AlGaInAs Compositionally Graded Buffers for 1550 nm Photovoltaic Converters on GaAs
di: Schulte, Kevin L., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Schulte, Kevin L., et al.
Pubblicazione: (2024)
Wurtzite AlScN/AlN Superlattice Ferroelectrics Enable Endurance Beyond 1010 Cycles
di: Wang, Ruiqing, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wang, Ruiqing, et al.
Pubblicazione: (2025)
Intermolecular charge transfer enhances the performance of molecular rectifiers
di: Sullivan, Ryan P., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Sullivan, Ryan P., et al.
Pubblicazione: (2024)
Documenti analoghi
-
Effects of Defects on Thermal Transport across Solid/Solid Heterogeneous Interfaces
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Enhancing interfacial thermal conductance in Si/Diamond heterostructures by phonon bridge
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Thermal Transport of GaN/Substrate Heterostructures under Non-Uniform Heat Source
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Enhancing interfacial thermal transport by nanostructures: Monte Carlo simulations with ab initio phonon properties
di: Luo, Wenzhu, et al.
Pubblicazione: (2024) -
A topology optimisation framework to design test specimens for one-shot identification or discovery of material models
di: Ghouli, Saeid, et al.
Pubblicazione: (2025)