Impact of the NO annealing duration on the SiO2/4H-SiC interface properties in lateral MOSFETs: the energetic profile of the near-interface-oxide traps

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Fiorenza, Patrick, Zignale, Marco, Camalleri, Marco, Scalia, Laura, Zanetti, Edoardo, Saggio, Mario, Giannazzo, Filippo, Roccaforte, Fabrizio
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2410.21235