Suppression of Phase Separation in AlGaInAs Compositionally Graded Buffers for 1550 nm Photovoltaic Converters on GaAs
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Schulte, Kevin L., Geisz, John F., Guthrey, Harvey L., France, Ryan M., da Costa, Edgard Winter, Steiner, Myles A. |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2024
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Sub-0.6 eV Inverted Metamorphic GaInAs Cells Grown on InP and GaAs Substrates for Thermophotovoltaics and Laser Power Conversion
di: Schulte, Kevin L., et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Schulte, Kevin L., et al.
Pubblicazione: (2023)
Sub‐0.6 eV Inverted Metamorphic GaInAs Cells Grown on Inp and GaAs Substrates for Thermophotovoltaics and Laser Power Conversion
di: Kevin L. Schulte, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Kevin L. Schulte, et al.
Pubblicazione: (2024)
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
di: I. F. L. Dias
Pubblicazione: (2004)
di: I. F. L. Dias
Pubblicazione: (2004)
Optimizing GaAs/AlGaAs Growth on GaAs (111)B for Enhanced Nonlinear Efficiency in Quantum Optical Metasurfaces
di: Blaikie, T., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Blaikie, T., et al.
Pubblicazione: (2025)
Coherence of Elementary Excitations in Disordered GaAs/AlGaAs Superlattices
di: Yu. A. Pusep
Pubblicazione: (2006)
di: Yu. A. Pusep
Pubblicazione: (2006)
Non-uniform Birefringence in Highly-reflective Substrate-Transferred GaAs/Al$_{0.92}$Ga$_{0.08}$As Coatings at 1064 nm
di: Gretarsson, Andri M., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Gretarsson, Andri M., et al.
Pubblicazione: (2025)
Photoluminescence and photoreflectance studies in GaAs-AlxGa1-xAs heterojunctions in the low Al concentration range
di: Gomez Herrera L. et al
Pubblicazione: (1998)
di: Gomez Herrera L. et al
Pubblicazione: (1998)
Electronic structure of delta shaped AlGaAs/GaAs quantum wells
di: M.R. Muro-Ortega
Pubblicazione: (2007)
di: M.R. Muro-Ortega
Pubblicazione: (2007)
Formation of Thin GaAs Buffer Layers on Silicon for Light-Emitting Devices
di: Lendyashova, Vera, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Lendyashova, Vera, et al.
Pubblicazione: (2024)
Self‐Catalyzed AlGaAs Nanowires and AlGaAs/GaAs Axial Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy
di: Giorgos Boras, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Giorgos Boras, et al.
Pubblicazione: (2025)
Correlated Electron-Hole Transitions in Bulk GaAs and GaAs-(Ga,Al)As QuantumWells: Effects of Applied Electric and In-Plane Magnetic Fields
di: C. A. Duque
Pubblicazione: (2006)
di: C. A. Duque
Pubblicazione: (2006)
Band Engineering of ErAs:InGaAlBiAs Nanocomposite Materials for Terahertz Photoconductive Switches Pumped at 1550 nm
di: Wilder Acuna, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Wilder Acuna, et al.
Pubblicazione: (2024)
Strong coupling of polaritons at room temperature in a GaAs/AlGaAs structure
di: Alnatah, Hassan, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Alnatah, Hassan, et al.
Pubblicazione: (2025)
Unveiling the 3D Morphology of Epitaxial GaAs/AlGaAs Quantum Dots
di: Zhang, Yiteng, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhang, Yiteng, et al.
Pubblicazione: (2024)
Experimental investigation on the effect of temperature on the frequency limit of GaAs-AlGaAs and AlGaN-GaN 2DEG Hall-effect sensors
di: Lalwani, Anand V, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Lalwani, Anand V, et al.
Pubblicazione: (2024)
Optimised Design of a Current Mirror in 150 nm GaAs Technology
di: Qian, Lua Ying, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Qian, Lua Ying, et al.
Pubblicazione: (2025)
Demonstration of GaAs‐Based Photovoltaics on Acoustically Spalled Surfaces Grown by MOCVD
di: Elijah Sacchitella, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Elijah Sacchitella, et al.
Pubblicazione: (2026)
Bose-Einstein condensation of polaritons at room temperature in a GaAs/AlGaAs structure
di: Alnatah, Hassan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Alnatah, Hassan, et al.
Pubblicazione: (2024)
Continuous‐wave GaAs/AlGaAs quantum cascade laser at 5.7 THz
di: Mohammad Shahili, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Mohammad Shahili, et al.
Pubblicazione: (2024)
Photo-induced resistance resonance effect in modulation doped GaAs-AlGaAs heteroestructures
di: Mazzoni M.S.C. et al
Pubblicazione: (1998)
di: Mazzoni M.S.C. et al
Pubblicazione: (1998)
Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots
di: D.J. Sánchez - Trujillo
Pubblicazione: (2017)
di: D.J. Sánchez - Trujillo
Pubblicazione: (2017)
Growth of In x Ga 1−x As Films on GaAs (100): Inserting an Ultrathin In x Ga 1−x As Buffer Using a Surface Technology
di: Qiuyue Fang, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Qiuyue Fang, et al.
Pubblicazione: (2024)
GaAs Growth on Ge‐Buffered Discontinuous (111)‐Faceted V‐Groove Silicon Substrates
di: Makhayeni Mtunzi, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Makhayeni Mtunzi, et al.
Pubblicazione: (2025)
Raman scattering and electrical characterization of AlGaAs/GaAs rectangular and triangular barriers grown by MOCVD
di: J. Díaz-Reyes
Pubblicazione: (2010)
di: J. Díaz-Reyes
Pubblicazione: (2010)
Wafer-scale correlated morphology and optoelectronic properties in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires
di: Das, Ishika, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Das, Ishika, et al.
Pubblicazione: (2025)
Study of the RPA Pair-Correlation Function in GaAs-AlGaAs Parabolic Quantum WellWires
di: J. B. B. da Cunha
Pubblicazione: (2004)
di: J. B. B. da Cunha
Pubblicazione: (2004)
BaCd 2 P 2 : A Promising Impurity‐Tolerant Counterpart of GaAs for Photovoltaics
di: Gideon Kassa, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Gideon Kassa, et al.
Pubblicazione: (2026)
Algorithm-Based Linearly Graded Compositions of GeSn on GaAs (001) via Molecular Beam Epitaxy
di: Gunder, Calbi, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Gunder, Calbi, et al.
Pubblicazione: (2023)
Scaled Ultra-Wide Bandgap AlGaN Polarization-Graded FET with Ultra-thin Buffer Layer
di: Zhu, Yinxuan, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhu, Yinxuan, et al.
Pubblicazione: (2025)
Temperature-Dependent Photoluminescence Spectra of GaAsSb/AlGaAs and GaAsSbN/GaAs Single Quantum Wells under Different Excitation Intensities
di: V. M. Aquino
Pubblicazione: (2007)
di: V. M. Aquino
Pubblicazione: (2007)
Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells
di: C.I. Cabrera
Pubblicazione: (2017)
di: C.I. Cabrera
Pubblicazione: (2017)
Optical phonon modes at GaAs-AlxGa(1-x)As semiconducting interfaces: effects of the concentration of Al
di: Chubykalo A.E., Mora Ramos M.E., and Contreras Solorio D.A
Pubblicazione: (1999)
di: Chubykalo A.E., Mora Ramos M.E., and Contreras Solorio D.A
Pubblicazione: (1999)
Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs. Simulación y aplicación en transistores de alta movilidad
di: Eduardo Martín Rodríguez
Pubblicazione: (2011)
di: Eduardo Martín Rodríguez
Pubblicazione: (2011)
Optimization of submicron Ni/Au/Ge contacts to an AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas
di: Mann, Matthew, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Mann, Matthew, et al.
Pubblicazione: (2024)
Influence of Gate Dimensions on High Power Microwave Injection Effects for AlGaAs / GaAs pHEMT
di: Xuanlin Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Xuanlin Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
Silicon‐Based 850 nm GaAs/GaAsP‐Strained Quantum Well Lasers with Active Region Dislocation Blocking Layers
di: Jian Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jian Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
Silicon‐Based 850 nm GaAs/GaAsP‐Strained Quantum Well Lasers with Active Region Dislocation Blocking Layers
di: Jian Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jian Li, et al.
Pubblicazione: (2024)
Why Is the Bandgap of GaP Indirect While That of GaAs and GaN Are Direct?
di: Jinhai Huang, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jinhai Huang, et al.
Pubblicazione: (2024)
Microstructural and Photoluminescence Property Changes in Ion‐implanted GaAs/GaAs:Si/Al x Ga 1−x As Core–shell Nanowires
di: Yuxuan Sun, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Yuxuan Sun, et al.
Pubblicazione: (2026)
Adsorption-Controlled Epitaxy and Twin Control of $γ$-GaSe on GaAs (111)B
di: Eickhoff, Joshua, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Eickhoff, Joshua, et al.
Pubblicazione: (2026)
Documenti analoghi
-
Sub-0.6 eV Inverted Metamorphic GaInAs Cells Grown on InP and GaAs Substrates for Thermophotovoltaics and Laser Power Conversion
di: Schulte, Kevin L., et al.
Pubblicazione: (2023) -
Sub‐0.6 eV Inverted Metamorphic GaInAs Cells Grown on Inp and GaAs Substrates for Thermophotovoltaics and Laser Power Conversion
di: Kevin L. Schulte, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
di: I. F. L. Dias
Pubblicazione: (2004) -
Optimizing GaAs/AlGaAs Growth on GaAs (111)B for Enhanced Nonlinear Efficiency in Quantum Optical Metasurfaces
di: Blaikie, T., et al.
Pubblicazione: (2025) -
Coherence of Elementary Excitations in Disordered GaAs/AlGaAs Superlattices
di: Yu. A. Pusep
Pubblicazione: (2006)