Effect of Top Al$_2$O$_3$ Interlayer Thickness on Memory Window and Reliability of FeFETs With TiN/Al$_2$O$_3$/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/SiO$_x$/Si (MIFIS) Gate Structure
Fuente:
arXiv
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| Formato: | Preprint |
| Publicado: |
2024
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| Materias: | |
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