Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

Fuente: arXiv
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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Lendyashova, Vera V., Ilkiv, Igor V., Talalaev, Vadim G., Shugabaev, Talgat, Reznik, Rodion R., Cirlin, George E.
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2024
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