Prolonging Carrier Lifetime in P-type 4H-SiC Epilayer by Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Zhang, Ruijun, Zhang, Mingkun, Zhang, Guoliang, Chen, Yujian, Liu, Jia, Tian, Ziqian, Yu, Ye, Zhao, Peng, Wu, Shaoxiong, Zhang, Yuning, Lin, Dingqu, Chen, Xiaping, Cai, Jiafa, Hong, Rongdun, Zhang, Feng
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Descripción
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