Prolonging Carrier Lifetime in P-type 4H-SiC Epilayer by Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Zhang, Ruijun, Zhang, Mingkun, Zhang, Guoliang, Chen, Yujian, Liu, Jia, Tian, Ziqian, Yu, Ye, Zhao, Peng, Wu, Shaoxiong, Zhang, Yuning, Lin, Dingqu, Chen, Xiaping, Cai, Jiafa, Hong, Rongdun, Zhang, Feng
Format:	Preprint
Publié:	2024
Sujets:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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