Modeling the variability of memristive devices with hexagonal boron nitride as dielectric

Fuente: arXiv

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Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Roldan, Juan B., Maldonado, David, Aguilera-Pedregosa, C., Alonso, F. J., Xiao, Yiping, Shen, Yaqing, Zheng, Wenwen, Yuan, Yue, Lanza, Mario
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2024
Soggetti:	Mesoscale and Nanoscale Physics
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Accesso online

https://arxiv.org/abs/2411.13872