Hot-carrier trapping preserves high quantum yields but limits optical gain in InP-based quantum dots

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Vonk, Sander J. W., Prins, P. Tim, Wang, Tong, Matthys, Jan, Giordano, Luca, Schiettecatte, Pieter, Mondal, Navendu, van der Hoeven, Jessi E. S., Hopper, Thomas R., Hens, Zeger, Geiregat, Pieter, Bakulin, Artem A., Rabouw, Freddy T.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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https://arxiv.org/abs/2411.19565