Hot-carrier trapping preserves high quantum yields but limits optical gain in InP-based quantum dots

Fuente: arXiv

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Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Vonk, Sander J. W., Prins, P. Tim, Wang, Tong, Matthys, Jan, Giordano, Luca, Schiettecatte, Pieter, Mondal, Navendu, van der Hoeven, Jessi E. S., Hopper, Thomas R., Hens, Zeger, Geiregat, Pieter, Bakulin, Artem A., Rabouw, Freddy T.
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2024
Soggetti:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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Accesso online

https://arxiv.org/abs/2411.19565