Hot-carrier trapping preserves high quantum yields but limits optical gain in InP-based quantum dots

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Vonk, Sander J. W., Prins, P. Tim, Wang, Tong, Matthys, Jan, Giordano, Luca, Schiettecatte, Pieter, Mondal, Navendu, van der Hoeven, Jessi E. S., Hopper, Thomas R., Hens, Zeger, Geiregat, Pieter, Bakulin, Artem A., Rabouw, Freddy T.
Format:	Preprint
Publié:	2024
Sujets:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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