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Contact Resistance Optimization in MoS${_2}$ Field-Effect Transistors through Reverse Sputtering-Induced Structural Modifications

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Fa, Yuan, Piacentini, Agata, Macco, Bart, Kalisch, Holger, Heuken, Michael, Vescan, Andrei, Wang, Zhenxing, Lemme, Max C.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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