Artificial Neural Network based Modelling for Variational Effect on Double Metal Double Gate Negative Capacitance FET

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Pathak, Yash, Goswami, Laxman Prasad, Malhotra, Bansi Dhar, Chaujar, Rishu
Format:	Preprint
Publié:	2024
Sujets:	Materials Science Applied Physics
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2412.14216