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Gated-Channel Conductivity Modulation by Hole Storage Effect Under Pulsed Conditions in p-GaN Gate Double Channel HEMT

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Liao, Hang, Zheng, Zheyang, Shu, Ji, Chen, Kevin J.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2024
Schlagworte:	Applied Physics
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