Josephson Field Effect Transistors with InAs on Insulator and High Permittivity Gate Dielectrics

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Paghi, Alessandro, Borgongino, Laura, Battisti, Sebastiano, Tortorella, Simone, Trupiano, Giacomo, De Simoni, Giorgio, Strambini, Elia, Sorba, Lucia, Giazotto, Francesco
Formato:	Preprint
Publicado:	2024
Materias:	Superconductivity Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science Quantum Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2412.16221