Polarization-induced Quantum Spin Hall Insulator and Topological Devices in InAs Quantum Wells

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Liang, Chenhao, Zhang, Sheng, Sheng, Haohao, Wu, Quansheng, Weng, Hongming, Fang, Zhong, Wang, Zhijun
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2501.02801