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High performance vacuum annealed beta-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 HFET with f_T/f_MAX of 32/65 GHz

Fuente: arXiv

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Saha, Chinmoy Nath, Nipu, Noor Jahan, Singisetti, Uttam
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2025
Soggetti:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics Applied Physics
Accesso online:	Acceder al recurso
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