The Role of Tunneling Oxide in the Low Frequency Noise of Multi-level Silicon Nitride ReRAMs

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Vasileiadis, Nikolaos, Mavropoulis, Alexandros, Theodorou, Christoforos, Dimitrakis, Panagiotis
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

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https://arxiv.org/abs/2502.03912