The Role of Tunneling Oxide in the Low Frequency Noise of Multi-level Silicon Nitride ReRAMs

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Vasileiadis, Nikolaos, Mavropoulis, Alexandros, Theodorou, Christoforos, Dimitrakis, Panagiotis
Format:	Preprint
Publié:	2025
Sujets:	Materials Science Applied Physics
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2502.03912