ZrN nucleation layer provides backside ohmic contact to MBE-grown GaN nanowires

Fuente: arXiv
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Auteurs principaux: Tiagulskyi, Stanislav, Yatskiv, Roman, Sobanska, Marta, Olszewski, Karol, Zytkiewicz, Zbigniew R., Grym, Jan
Format: Preprint
Publié: 2025
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