Epitaxial high-K AlBN barrier GaN HEMTs
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Savant, Chandrashekhar, Nguyen, Thai-Son, Nomoto, Kazuki, Vishwakarma, Saurabh, Ma, Siyuan, Dhar, Akshey, Chen, Yu-Hsin, Casamento, Joseph, Smith, David J., Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Ferroelectric AlBN Films by Molecular Beam Epitaxy
di: Savant, Chandrashekhar, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Savant, Chandrashekhar, et al.
Pubblicazione: (2024)
Epitaxial AlBN/β‐Nb2N Ferroelectric/Superconductor Heterostructures
di: Chandrashekhar Savant, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Chandrashekhar Savant, et al.
Pubblicazione: (2024)
Epitaxial Sc$_x$Al$_{1-x}$N on GaN is a High K Dielectric
di: Casamento, Joseph, et al.
Pubblicazione: (2021)
di: Casamento, Joseph, et al.
Pubblicazione: (2021)
Shubnikov-de Haas oscillations of two-dimensional electron gases in AlYN/GaN and AlScN/GaN heterostructures
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2026)
Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2025)
A Compact Model for Polar Multiple-Channel Field Effect Transistors: A Case Study in III-V Nitride Semiconductors
di: Asteris, Aias, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Asteris, Aias, et al.
Pubblicazione: (2025)
High Mobility Multiple-Channel AlScN/GaN Heterostructures
di: Asteris, Aias, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Asteris, Aias, et al.
Pubblicazione: (2025)
Two-Carrier Model-Fitting of Hall Effect in Semiconductors with Dual-Band Occupation: A Case Study in GaN Two-Dimensional Hole Gas
di: Dill, Joseph E., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Dill, Joseph E., et al.
Pubblicazione: (2024)
Lattice-Matched Multiple Channel AlScN/GaN Heterostructures
di: Nguyen, Thai-Son, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Nguyen, Thai-Son, et al.
Pubblicazione: (2024)
Cryogenic Loss Limits in Microwave Epitaxial AlN Acoustic Resonators
di: Gulupalli, Hemant, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Gulupalli, Hemant, et al.
Pubblicazione: (2026)
Quantum oscillations of holes in GaN
di: Chang, Chuan F. C., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Chang, Chuan F. C., et al.
Pubblicazione: (2025)
Two-Temperature Principle for Electrothermal Performance Evaluation of GaN HEMTs
di: Shen, Yang, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Shen, Yang, et al.
Pubblicazione: (2023)
Microwave Performance of all MOCVD-grown AlScN/GaN MIS-HEMTs on Semi-Insulating GaN Substrates
di: Cao, Can, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Cao, Can, et al.
Pubblicazione: (2026)
Impacts of Backside Insulation on the Dynamic On-Resistance of Lateral p-GaN HEMTs-on-Si
di: Wang, Yu-Xuan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Wang, Yu-Xuan, et al.
Pubblicazione: (2024)
Hybrid Classical-Quantum Neural Networks for Multi-Characteristic Co-Optimization of Recessed-Gate AlGaN/GaN MIS-HEMTs
di: Rai, Rushat, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Rai, Rushat, et al.
Pubblicazione: (2026)
Demonstration of TFTs 3D Monolithically Integrated on GaN HEMTs using Cascode Configuration with High Breakdown Voltage (>1900V)
di: Wu, Tian-Li, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wu, Tian-Li, et al.
Pubblicazione: (2025)
$γ$-phase Inclusions as Common Defects in Alloyed $β$-(Al$_x$Ga$_{1\text{-}x}$)$_2$O$_3$ and Doped $β$-Ga$_2$O$_3$ Films
di: Chang, Celesta S., et al.
Pubblicazione: (2020)
di: Chang, Celesta S., et al.
Pubblicazione: (2020)
XHEMTs on Ultrawide Bandgap Single-Crystal AlN Substrates
di: Kim, Eungkyun, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Kim, Eungkyun, et al.
Pubblicazione: (2025)
Comprehensive TCAD Simulation Study of High Voltage (>650V) Common Drain Bidirectional AlGaN/GaN HEMTs
di: Alam, Md Tahmidul, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Alam, Md Tahmidul, et al.
Pubblicazione: (2023)
Dependence of the Mn sticking coefficient on Ga-rich, N-rich, and Ga/N-flux-free conditions in GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
di: Cho, YongJin, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Cho, YongJin, et al.
Pubblicazione: (2026)
Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz
di: Bai, Ruixin, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Bai, Ruixin, et al.
Pubblicazione: (2025)
An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon Wafers
di: Fumio Kawamura, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Fumio Kawamura, et al.
Pubblicazione: (2026)
An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon Wafers
di: Kawamura, Fumio, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Kawamura, Fumio, et al.
Pubblicazione: (2026)
A Promising Ohmic Contacts Approach for High-Al AlxGa1-xN (x>0.6) Channel HEMTs with AlN/GaN Digital Alloy Channel
di: Jamil, Tariq, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Jamil, Tariq, et al.
Pubblicazione: (2026)
Unusually high-density 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates
di: Matys, Maciej, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Matys, Maciej, et al.
Pubblicazione: (2024)
Geometrically-Controlled Microscale Patterning and Epitaxial Lateral Overgrowth of Nitrogen-Polar GaN
di: Pampili, Pietro, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Pampili, Pietro, et al.
Pubblicazione: (2024)
Reduction of self-heating effects in GaN HEMT via h-BN passivation and lift-off transfer to diamond substrate: a simulation study
di: Tijent, Fatima Z., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Tijent, Fatima Z., et al.
Pubblicazione: (2024)
On Apparent Absence of Green Gap in InGaN/GaN Quantum Disks and Wells Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
di: Sadaf, Sharif Md., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Sadaf, Sharif Md., et al.
Pubblicazione: (2025)
Lorentzian Switching Dynamics in HZO-based FeMEMS Synapses for Neuromorphic Weight Storage
di: Jadhav, Shubham, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Jadhav, Shubham, et al.
Pubblicazione: (2025)
Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures
di: Date, Mihir, et al.
Pubblicazione: (2017)
di: Date, Mihir, et al.
Pubblicazione: (2017)
Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates
di: Orfao, B., et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Orfao, B., et al.
Pubblicazione: (2026)
Interfacial Polarization Switching in Al0.92Sc0.08N/GaN Heterostructures Grown by Sputter Epitaxy
di: Wolff, Niklas, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wolff, Niklas, et al.
Pubblicazione: (2025)
kV-Class Lateral NiOx/GaN Super-Heterojunction Diode via Ammonia Molecular Beam Epitaxy (NH3-MBE)
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2025)
Frequency multiplication in Terahertz band using AlGaN/GaN plasmonic crystals
di: Shur, Michael, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shur, Michael, et al.
Pubblicazione: (2025)
Simplified EPFL GaN HEMT Model
di: Jazaeri, Farzan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jazaeri, Farzan, et al.
Pubblicazione: (2024)
Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN
di: Papamichail, Alexis, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Papamichail, Alexis, et al.
Pubblicazione: (2022)
Unveiling the 3D Morphology of Epitaxial GaAs/AlGaAs Quantum Dots
di: Zhang, Yiteng, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhang, Yiteng, et al.
Pubblicazione: (2024)
Potential of Graphene/AlGaN/GaN heterostructures to study the drag and two-stream instability effects
di: Rehman, A., et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Rehman, A., et al.
Pubblicazione: (2026)
Effect of current on terahertz plasmons in AlGaN/GaN heterostructures
di: Dub, M., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Dub, M., et al.
Pubblicazione: (2025)
High Voltage (~2 kV) field-plated Al0.64Ga0.36N-channel HEMTs
di: Alam, Md Tahmidul, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Alam, Md Tahmidul, et al.
Pubblicazione: (2024)
Documenti analoghi
-
Ferroelectric AlBN Films by Molecular Beam Epitaxy
di: Savant, Chandrashekhar, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Epitaxial AlBN/β‐Nb2N Ferroelectric/Superconductor Heterostructures
di: Chandrashekhar Savant, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Epitaxial Sc$_x$Al$_{1-x}$N on GaN is a High K Dielectric
di: Casamento, Joseph, et al.
Pubblicazione: (2021) -
Shubnikov-de Haas oscillations of two-dimensional electron gases in AlYN/GaN and AlScN/GaN heterostructures
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
di: Chen, Yu-Hsin, et al.
Pubblicazione: (2025)