Holes in silicon are heavier than expected: transport properties of extremely high mobility electrons and holes in silicon MOSFETs

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Wendoloski, J. P., Hillier, J., Liles, S. D., Rendell, M., Ashlea-Alava, Y., Raes, B., Li, R., Kubicek, S., Godfrin, C., Jussot, J., Beyne, S., Wan, D., Rahman, Md. M., Yianni, S., Chan, K. W., Hudson, F. E., Lim, W. H., De Greve, K., Dzurak, A. S., Hamilton, A. R.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online

https://arxiv.org/abs/2502.21173