Towards Identifying the PL6 Center in SiC: From First-Principles Screening to Hyperfine Validation of Competing Defect Candidates
Fuente:
arXiv
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | Zhao, Xin, Liu, Mingzhe, Chen, Yu, Zhang, Qi, Duan, Chang-Kui |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Publié: |
2025
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires
Optically Active Point Defects in 4H–SiC: Identification of Microscopic Mechanisms and Prospects for Quantum Applications
par: Xin Zhao, et autres
Publié: (2025)
par: Xin Zhao, et autres
Publié: (2025)
Identification and Passivation of D‐Center in 4H‐SiC: A First‐Principles Study
par: Shuai‐Shuai Liu, et autres
Publié: (2024)
par: Shuai‐Shuai Liu, et autres
Publié: (2024)
Host dependence of PL5 ensemble in 4H-SiC
par: Li, Jiajun, et autres
Publié: (2025)
par: Li, Jiajun, et autres
Publié: (2025)
Tailoring Electronic Properties of 6H‐SiC with Different Composition of Silicon by First‐Principles Calculations
par: Muhammad N. Sharif, et autres
Publié: (2024)
par: Muhammad N. Sharif, et autres
Publié: (2024)
Deterministic and Scalable Coupling of Single 4H-SiC Spin Defects into Bullseye Cavities
par: Bao, Tongyuan, et autres
Publié: (2025)
par: Bao, Tongyuan, et autres
Publié: (2025)
Deterministic and Scalable Coupling of Single 4H‐SiC Spin Defects into Bullseye Cavities
par: Tongyuan Bao, et autres
Publié: (2025)
par: Tongyuan Bao, et autres
Publié: (2025)
The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H‐SiC Devices
par: Lan Luo, et autres
Publié: (2025)
par: Lan Luo, et autres
Publié: (2025)
Strain Engineering for Transition Metal Defects in SiC
par: Tissot, Benedikt, et autres
Publié: (2023)
par: Tissot, Benedikt, et autres
Publié: (2023)
First-Principles Investigation of Surface-Induced Effects on the Properties of Divacancy Qubits in 3C-SiC
par: Viglione, Rosario G., et autres
Publié: (2025)
par: Viglione, Rosario G., et autres
Publié: (2025)
First‐Principles Investigation of Surface‐Induced Effects on the Properties of Divacancy Qubits in 3C‐SiC
par: Rosario G. Viglione, et autres
Publié: (2026)
par: Rosario G. Viglione, et autres
Publié: (2026)
Influence of SiC content in B 4 C– n SiC composites corrosion in molten FLiNaK salt at 800°C
par: Kui Wang, et autres
Publié: (2024)
par: Kui Wang, et autres
Publié: (2024)
Temperature and Doping Dependence of Carbon Interstitial Diffusion in 4H‐SiC from First Principles
par: Pan Deng, et autres
Publié: (2025)
par: Pan Deng, et autres
Publié: (2025)
Effects of heat treatment on mechanical and thermophysical properties of KD‐SA SiC f /SiC composites
par: Jin Zhang, et autres
Publié: (2025)
par: Jin Zhang, et autres
Publié: (2025)
Effect of BN interfacial layer on the mechanical behavior of SiC fiber reinforced SiC ceramic matrix composites
par: Mingwei Chen, et autres
Publié: (2024)
par: Mingwei Chen, et autres
Publié: (2024)
Effect of PyC/BN interfacial phases on mechanical behavior of SiC/SiC composites
par: Haipeng Qiu, et autres
Publié: (2024)
par: Haipeng Qiu, et autres
Publié: (2024)
Surface Structuring of Patterned 4H-SiC Surfaces Using a SiC/Si/SiC Sandwich Approach
par: Jousseaume, Yann, et autres
Publié: (2024)
par: Jousseaume, Yann, et autres
Publié: (2024)
High‐Strength Porous SiC Ceramics From Truncated Pyramid‐Shaped β ‐SiC Powder via Rapid Hot‐Pressing
par: Qisong Li, et autres
Publié: (2026)
par: Qisong Li, et autres
Publié: (2026)
Oxidation of SiC fibers in water vapor
par: Victoria L. Christensen, et autres
Publié: (2024)
par: Victoria L. Christensen, et autres
Publié: (2024)
Preparation of jointed composites with interconnected SiC nanowires network for nuclear SiC fiber reinforced SiC composites
par: Meihan Ren, et autres
Publié: (2024)
par: Meihan Ren, et autres
Publié: (2024)
Densification and optimization of SiC f /SiC composites by low‐temperature NITE process
par: Xu Shen, et autres
Publié: (2025)
par: Xu Shen, et autres
Publié: (2025)
BN recession and recession cessation in SiC/BN/SiC composites
par: Shingo Kanazawa, et autres
Publié: (2025)
par: Shingo Kanazawa, et autres
Publié: (2025)
Microwave‐Sintered Nano‐SiC Reinforced 8SiC/Ti‐3Cu Composite: Fabrication, Wear Resistance, Antibacterial Function, and Biocompatibility
par: Xin Li, et autres
Publié: (2025)
par: Xin Li, et autres
Publié: (2025)
Impact of Surface Treatment on Noise in PL-Measurements of Silicon Vacancies in 4H-SiC Lateral pin-Diodes
par: Schwarberg, Jannik H., et autres
Publié: (2026)
par: Schwarberg, Jannik H., et autres
Publié: (2026)
Detection of the linear SiC$_3$ and SiC$_5$ radicals in IRC\,+10216
par: Cernicharo, José, et autres
Publié: (2025)
par: Cernicharo, José, et autres
Publié: (2025)
Gelcasting for the densification repair of delamination defects in SiC f /SiC composites
par: Yiran Lin, et autres
Publié: (2026)
par: Yiran Lin, et autres
Publié: (2026)
Molecular Dynamics Study of Defect Evolution Mechanisms in 3C-SiC for Quantum Technologies
par: Ashraf, Irslan Ullah, et autres
Publié: (2026)
par: Ashraf, Irslan Ullah, et autres
Publié: (2026)
Neural‐Network Potential for Defect Formation Induced by Knock‐On Irradiation Damage in 4H‐SiC
par: Wei Liu, et autres
Publié: (2025)
par: Wei Liu, et autres
Publié: (2025)
Charge Collection Performance of 4H-SiC LGAD
par: Zhao, Sen, et autres
Publié: (2024)
par: Zhao, Sen, et autres
Publié: (2024)
Effect of Sialon‐Fe 3 Si Multiphase Powder Replacing SiC on the Microstructure and Properties of Al 2 O 3 –SiC–C Bricks
par: Huan Jia, et autres
Publié: (2026)
par: Huan Jia, et autres
Publié: (2026)
Preparation and mechanical behavior of Yb 2 Si 2 O 7 interphase in SiC f /SiC minicomposites
par: Shuang Mu, et autres
Publié: (2024)
par: Shuang Mu, et autres
Publié: (2024)
Defect-Mediated Phase Engineering of 2D Ag at the Graphene/SiC Interface
par: Jain, Arpit, et autres
Publié: (2025)
par: Jain, Arpit, et autres
Publié: (2025)
The Chlorine Vacancy in 4H-SiC: An NV-like Defect With Telecom Emission
par: Bulancea-Lindvall, Oscar, et autres
Publié: (2023)
par: Bulancea-Lindvall, Oscar, et autres
Publié: (2023)
Sensitivity of Multislice Electron Ptychography to Point Defects: A Case Study in SiC
par: Bhat, Aaditya, et autres
Publié: (2024)
par: Bhat, Aaditya, et autres
Publié: (2024)
Towards predictive atomistic simulations of SiC crystal growth
par: Reichmann, Alexander, et autres
Publié: (2025)
par: Reichmann, Alexander, et autres
Publié: (2025)
Crater-shaped Enrichment of $\mathrm{V}_\mathrm{Si}$ Color Centers in $4H$-SiC using Single-Pulse Near-Infrared Femtosecond Laser Processing
par: Yan, Mengzhi, et autres
Publié: (2024)
par: Yan, Mengzhi, et autres
Publié: (2024)
First-Principles Study of the Temperature Dependence of Structural, Electronic, and Hyperfine Properties of the Cu(100) Surface
par: Darriba, Germán N., et autres
Publié: (2026)
par: Darriba, Germán N., et autres
Publié: (2026)
14N Hyperfine and nuclear interactions of axial and basal NV centers in 4H-SiC: A high frequency (94 GHz) ENDOR study
par: Murzakhanov, F. F., et autres
Publié: (2024)
par: Murzakhanov, F. F., et autres
Publié: (2024)
Rare earth silicate in SiC f /SiC composites: Toward water‒oxygen corrosion resistance in high‐temperature gas environment
par: Longjiao Pu, et autres
Publié: (2025)
par: Longjiao Pu, et autres
Publié: (2025)
Preparation of Porous Si 2 N 2 O/SiC Ceramics by Microwave Sintering
par: Yuxuan Duan, et autres
Publié: (2024)
par: Yuxuan Duan, et autres
Publié: (2024)
Optical Spin Initialization of Nitrogen Vacancy Centers in a 28Si-Enriched 6H-SiC Crystal for Quantum Technologies
par: Murzakhanov, F. F., et autres
Publié: (2024)
par: Murzakhanov, F. F., et autres
Publié: (2024)
Documents similaires
-
Optically Active Point Defects in 4H–SiC: Identification of Microscopic Mechanisms and Prospects for Quantum Applications
par: Xin Zhao, et autres
Publié: (2025) -
Identification and Passivation of D‐Center in 4H‐SiC: A First‐Principles Study
par: Shuai‐Shuai Liu, et autres
Publié: (2024) -
Host dependence of PL5 ensemble in 4H-SiC
par: Li, Jiajun, et autres
Publié: (2025) -
Tailoring Electronic Properties of 6H‐SiC with Different Composition of Silicon by First‐Principles Calculations
par: Muhammad N. Sharif, et autres
Publié: (2024) -
Deterministic and Scalable Coupling of Single 4H-SiC Spin Defects into Bullseye Cavities
par: Bao, Tongyuan, et autres
Publié: (2025)