Indirect Tunneling Enabled Spontaneous Time-Reversal Symmetry Breaking and Josephson Diode Effect in TiN/Al$_2$O$_3$/Hf$_{0.8}$Zr$_{0.2}$O$_2$/Nb tunnel junctions
Fuente:
arXiv
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | Ding, Shaoqing, Yao, Jinyuan, Bi, Zhen, Tran, Quyen, Liu, Bangzhi, Li, Qi, Trolier-McKinstry, Susan, Jackson, Thomas N., Liu, Ying |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Publié: |
2025
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires
Does a Morphotropic Phase Boundary Exist in Zr x Hf 1‐x O 2 ‐Based Thin Films?
par: Pramoda Vishnumurthy, et autres
Publié: (2025)
par: Pramoda Vishnumurthy, et autres
Publié: (2025)
The effect of surface termination on dielectric nonlinearity in potassium sodium niobate thin films
par: Soňa Hříbalová, et autres
Publié: (2025)
par: Soňa Hříbalová, et autres
Publié: (2025)
Collaborating to Create the Right Space for the Right Time
par: McKinstry, Jill
Publié: (2004)
par: McKinstry, Jill
Publié: (2004)
Impact of HfO2 Dielectric Layer Placement in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Applications
par: Juri Kim, et autres
Publié: (2024)
par: Juri Kim, et autres
Publié: (2024)
Mixed Finite Element Analysis of Flexoelectric Response: Exploring Unit Cell Stacking and Strain Gradient Modulation
par: Kazemi, Arash, et autres
Publié: (2025)
par: Kazemi, Arash, et autres
Publié: (2025)
Electrical Degradation in Dielectric and Piezoelectric Oxides: Review of Defect Chemistry and Associated Characterization Techniques
par: Yousefian, Pedram, et autres
Publié: (2024)
par: Yousefian, Pedram, et autres
Publié: (2024)
Preparation of (Ti 0.2 Zr 0.2 Hf 0.2 Nb 0.2 Ta 0.2 )C high‐entropy ceramic nanopowders via liquid‐phase precursor
par: Chenyi Xie, et autres
Publié: (2024)
par: Chenyi Xie, et autres
Publié: (2024)
Edge dependent Josephson Diode effect in WTe$_{2}$-Based Josephson junction
par: Guo, Guo-Liang, et autres
Publié: (2025)
par: Guo, Guo-Liang, et autres
Publié: (2025)
Precise structure and polarization determination of Hf0.5Zr0.5O2 with electron ptychography
par: Gao1, Xiaoyue, et autres
Publié: (2024)
par: Gao1, Xiaoyue, et autres
Publié: (2024)
Tunneling magnetoresistance in altermagnetic RuO$_2$-based magnetic tunnel junctions
par: Noh, Seunghyeon, et autres
Publié: (2025)
par: Noh, Seunghyeon, et autres
Publié: (2025)
Normal state and superconducting state properties of high entropy Ta0.2Nb0.2V0.2Ti0.2X0.2 (X = Zr and Hf )
par: Sharma, Nikita, et autres
Publié: (2025)
par: Sharma, Nikita, et autres
Publié: (2025)
Enhanced Toughness of High‐Entropy (Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2)C Ceramics with the Incorporation of B4C
par: Yunfeng She, et autres
Publié: (2025)
par: Yunfeng She, et autres
Publié: (2025)
Superconducting Properties of Re 2 Zr 0.5 Hf 0.5 and Re 6 Zr 0.5 Hf 0.5 Alloys
par: Pavan Kumar Meena, et autres
Publié: (2026)
par: Pavan Kumar Meena, et autres
Publié: (2026)
Resistive switching and charge accumulation in Hf0.5Zr0.5O2 nanoparticles
par: Pylypchuk, Oleksandr S., et autres
Publié: (2025)
par: Pylypchuk, Oleksandr S., et autres
Publié: (2025)
Impact of the Top SiO2 Interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) Gate Structure
par: Hu, Tao, et autres
Publié: (2024)
par: Hu, Tao, et autres
Publié: (2024)
Impact of Top SiO2 interlayer Thickness on Memory Window of Si Channel FeFET with TiN/SiO2/Hf0.5Zr0.5O2/SiOx/Si (MIFIS) Gate Structure
par: Hu, Tao, et autres
Publié: (2024)
par: Hu, Tao, et autres
Publié: (2024)
Silicon‐Compatible Ferroelectric Tunnel Junctions with a SiO2/Hf0.5Zr0.5O2 Composite Barrier as Low‐Voltage and Ultra‐High‐Speed Memristors
par: He Wang, et autres
Publié: (2024)
par: He Wang, et autres
Publié: (2024)
Progress in the Sputtering Preparation of Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films and Memories
par: Kun Chen, et autres
Publié: (2024)
par: Kun Chen, et autres
Publié: (2024)
Fast Switching and High Polarization in Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Films
par: Faizan Ali, et autres
Publié: (2026)
par: Faizan Ali, et autres
Publié: (2026)
Mechanism-Resolved PFM of Ferroionic and Ferroelectric Responses in Thickness-Gradient Hf0.5Zr0.5O2 Libraries
par: Liu, Yu, et autres
Publié: (2026)
par: Liu, Yu, et autres
Publié: (2026)
Effect of Top Al$_2$O$_3$ Interlayer Thickness on Memory Window and Reliability of FeFETs With TiN/Al$_2$O$_3$/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/SiO$_x$/Si (MIFIS) Gate Structure
par: Hu, Tao, et autres
Publié: (2024)
par: Hu, Tao, et autres
Publié: (2024)
Fatigue-free ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 ultrathin films via interfacial design
par: Zhou, Chao, et autres
Publié: (2025)
par: Zhou, Chao, et autres
Publié: (2025)
Enhanced Electro‐Resistance and Tunable Asymmetric Depolarization Behavior in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Tunnel Junction by Bottom Oxide Interfacial Layer
par: Shuxian Lyu, et autres
Publié: (2024)
par: Shuxian Lyu, et autres
Publié: (2024)
Low barrier ZrO$_x$-based Josephson junctions
par: Choi, Jaehong, et autres
Publié: (2025)
par: Choi, Jaehong, et autres
Publié: (2025)
Experimental Investigation of Variations in Polycrystalline Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)-based MFIM
par: Kim, Tae Ryong, et autres
Publié: (2024)
par: Kim, Tae Ryong, et autres
Publié: (2024)
Atomic Layer Deposition of Epitaxial Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films
par: Jung Woo Cho, et autres
Publié: (2024)
par: Jung Woo Cho, et autres
Publié: (2024)
Role of Oxygen Vacancies in Stabilizing the Orthorhombic Phases of Hf0.5Zr0.5O2 Nanoparticles
par: Zagorodniy, Yuriy O., et autres
Publié: (2026)
par: Zagorodniy, Yuriy O., et autres
Publié: (2026)
Pulse‐Width‐Dependent Imprint Effect in Ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Capacitors
par: Minjong Lee, et autres
Publié: (2025)
par: Minjong Lee, et autres
Publié: (2025)
High temperature thermal shock resistance of plasma‐sprayed high‐entropy (Y 0.2 Yb 0.2 Ho 0.2 Er 0.2 Tm 0.2 ) 2 Hf 2 O 7 coating
par: Jinyuan Zhang, et autres
Publié: (2025)
par: Jinyuan Zhang, et autres
Publié: (2025)
Nitrogen Vacancies Induce Fatigue in Ferroelectric $\mathrm{Al_{0.93}B_{0.07}N}$
par: Smith, Walter J., et autres
Publié: (2025)
par: Smith, Walter J., et autres
Publié: (2025)
Photoinduced Patterning of Oxygen Vacancies to Promote the Ferroelectric Phase of $\mathrm{Hf_{0.5}Zr_{0.5}O_2}$
par: Beechem, Thomas E, et autres
Publié: (2024)
par: Beechem, Thomas E, et autres
Publié: (2024)
Decoupling effects of the resistive-switching behavior on the polarization reversal in ultrathin ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films
par: Zhou, Chao, et autres
Publié: (2026)
par: Zhou, Chao, et autres
Publié: (2026)
Flexural strength of (Hf,Nb,Ta,Ti,Zr)B 2 –(Hf,Nb,Ta,Ti,Zr)C high‐entropy dual‐phase ceramics
par: Rubia Hassan, et autres
Publié: (2025)
par: Rubia Hassan, et autres
Publié: (2025)
Combining Computing and Reference Desks in an Undergraduate Library: A Brilliant Innovation or a Serious Mistake?
par: McKinstry, Jill Morrison, et autres
Publié: (2002)
par: McKinstry, Jill Morrison, et autres
Publié: (2002)
A DFT Study of the Components of a Hf/HfO2/TiN three-layer stack
par: Jorge F. Fraga
Publié: (2013)
par: Jorge F. Fraga
Publié: (2013)
Anodization-free fabrication process for high-quality cross-type Josephson tunnel junctions based on a Nb/Al-AlO$_x$/Nb trilayer
par: Adam, Fabienne, et autres
Publié: (2024)
par: Adam, Fabienne, et autres
Publié: (2024)
Dynamics of Josephson junctions beyond the tunneling limit
par: Steiner, Jacob F., et autres
Publié: (2025)
par: Steiner, Jacob F., et autres
Publié: (2025)
Tunable Switching Mechanisms in HfZrO 2 ‐Based Tunnel Junctions for High‐Performance Synaptic Arrays
par: Jiwon You, et autres
Publié: (2026)
par: Jiwon You, et autres
Publié: (2026)
Multiple spiking functionalities in annealing-optimized Ag/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$-based memristive neurons
par: Zhidkov, Nikita, et autres
Publié: (2026)
par: Zhidkov, Nikita, et autres
Publié: (2026)
Deep Sight of Temperature‐Dependent Wake‐Up Effect of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Capacitors and Characterization
par: Zichong Zhang, et autres
Publié: (2026)
par: Zichong Zhang, et autres
Publié: (2026)
Documents similaires
-
Does a Morphotropic Phase Boundary Exist in Zr x Hf 1‐x O 2 ‐Based Thin Films?
par: Pramoda Vishnumurthy, et autres
Publié: (2025) -
The effect of surface termination on dielectric nonlinearity in potassium sodium niobate thin films
par: Soňa Hříbalová, et autres
Publié: (2025) -
Collaborating to Create the Right Space for the Right Time
par: McKinstry, Jill
Publié: (2004) -
Impact of HfO2 Dielectric Layer Placement in Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Applications
par: Juri Kim, et autres
Publié: (2024) -
Mixed Finite Element Analysis of Flexoelectric Response: Exploring Unit Cell Stacking and Strain Gradient Modulation
par: Kazemi, Arash, et autres
Publié: (2025)