Direct Bandgap Photoluminescence of GeSn grown on Si(100) substrate by Molecular Beam Epitaxy Growth

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Zhang, Diandian, Eldose, Nirosh M., Baral, Dinesh, Stanchu, Hryhorii, Acharya, Sudip, de Oliveira, Fernando Maia, Benamara, Mourad, Zhao, Haochen, Zeng, Yuping, Du, Wei, Salamo, Gregory J., Yu, Shui-Qing
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Applied Physics Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

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https://arxiv.org/abs/2505.04096