TBA-enabled spin-coating of a percolatively connected GO nanosieve for thru-hole epitaxy: tuning GO flake stacking and coverage to control GaN nucleation

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Beak, Gunhoon, Dong, Changwook, Choi, Minah, Yang, Jieun, Lim, Joonwon, Kim, Chinkyo
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2505.04454