Buchumschlag

Neural Network-Driven Molecular Insights into Alkaline Wet Etching of GaN: Toward Atomistic Precision in Nanostructure Fabrication

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Kim, Purun-hanul, Choi, Jeong Min, Han, Seungwu, Kang, Youngho
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Materials Science
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge

A Computational Study for Screening High-Selectivity Inhibitors in Area-Selective Atomic Layer Deposition on Amorphous Surfaces
von: Kim, Gijin, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Atomistic Insights into Cu/amorphous-Ta$_x$N Interfacial Adhesion via Machine Learning Interatomic Potentials: Effects of Stoichiometry and Interface Construction
von: Choi, Jeong Min, et al.
Veröffentlicht: (2025)

A Lightweight Universal Machine-Learning Interatomic Potential via Knowledge Distillation for Scalable Atomistic Simulations
von: Oh, Sangmin, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Atomistic insights into hydrogen migration in IGZO from machine-learning interatomic potential: linking atomic diffusion to device performance
von: Cho, Hyunsung, et al.
Veröffentlicht: (2025)

GaN-based Resonant Cavity LEDs Fabricated by Photo-Electrochemical Etching and Micro-Transfer Printing
von: Chen, Huanqing, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Fabrication of GaN Nanowire Arrays via Electrodeless Photoelectrochemical Etching and its Application on UV Photodetectors
von: Chuhao Cai, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Discovery of oxide Li-conducting electrolytes in uncharted chemical space via topology-constrained crystal structure prediction
von: Hwang, Seungwoo, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Porous GaN Nanopyramids: Advancing Beyond Conventional Nanostructures for High‐Brightness InGaN/GaN Quantum Wells Emission
von: Hamza Thaalbi, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Etching Characteristics of Hydrogen Environment Anisotropic Thermal Etching for GaN‐Based Functional Photonic Devices
von: Takuto Honda, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Vertical GaN Trench‐MOSFETs Fabricated on Ammonothermally Grown Bulk GaN Substrates
von: Maciej Kamiński, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Atomic-Scale Mechanisms of SiO$_2$ Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Revealed by Molecular Dynamics with a Machine-Learning Interatomic Potential
von: Kim, Jaehoon, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Data-efficient multi-fidelity training for high-fidelity machine learning interatomic potentials
von: Kim, Jaesun, et al.
Veröffentlicht: (2024)

SiO2‐GaN Interface Improvement by Wet Cleaning and In Situ Annealing for GaN MOS Transistors
von: Mirjam Henn, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Scalable Parallel Algorithm for Graph Neural Network Interatomic Potentials in Molecular Dynamics Simulations
von: Park, Yutack, et al.
Veröffentlicht: (2024)

High‐Precision Silicon Microgrooves via Metal‐Assisted Chemical Etching (MACE) Using Electrospun Nanofibers
von: Mun Jeong Choi, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Elastic Relaxation of Coherent InGaN/GaN Interfaces at the Microwire LED Sidewall
von: Jongil Kim, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Depth Analyses of Mg‐Acceptor and Si‐Donor Concentrations in GaN by Combining Stepwise Etching and Photoluminescence
von: Keita Kataoka, et al.
Veröffentlicht: (2024)

An efficient forgetting-aware fine-tuning framework for pretrained universal machine-learning interatomic potentials
von: Kim, Jisu, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Roles of Nanoscale Defects of Graphene in Remote Epitaxy of GaN
von: Jeongwoon Kim, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Multimode Emission in GaN Microdisk Lasers
von: Monty L. Drechsler, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Impact of AlN buffer thickness on electrical and thermal characteristics of AlGaN/GaN/AlN HEMTs
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Molecular Beam Epitaxy of GaN Nanowires on Epitaxial Graphene
von: Fernández-Garrido, Sergio, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Fabrication of Ultralow‐Bevel Angle Mesa Structures for Vertical GaN Devices
von: Jarosław Tarenko, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of Wet Etching on AlGaN‐Based Ultraviolet‐B Laser Diodes Grown on Wet‐Etched Periodic AlN Nanopillars
von: Yoshinori Imoto, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Device and Noise Performances of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Various GaN Channel Layers Grown on AlN Buffer Layer
von: Ki‐Sik Im, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Low Resistivity n‐type GaN Ohmic Contacts on GaN Substrates
von: Adamantia Logotheti, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Elastic Relaxation of Coherent InGaN/GaN Interfaces at the Microwire LED Sidewall (Adv. Sci. 19/2025)
von: Jongil Kim, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Comparative Analysis of Ni/Ag and Ni/Au Contacts on GaN/AlGaN/GaN Platform
von: Yuanlei Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Impact of Parasitic Conductive Interfaces on the DC and RF Performance of GaN‐on‐GaN HEMTs
von: Amer Bassal, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN-based Grating-Gate Plasmonic Crystals
von: Sai, Pavlo, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN‐Based Grating‐Gate Plasmonic Crystals
von: Pavlo Sai, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN/InGaN Heterostructures under In‐Bilayer Stabilized Conditions
von: Joerg Malindretos, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Vertical GaN p–n Diodes with Ultralow Bevel Angle Mesa Termination Fabricated Using Photoresist Reflow and Single Cl 2 /BCl 3 /SF 6 Etching Step
von: Jarosław Tarenko, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Control of Surface Chemistry in Recess Etching toward Normally Off GaN Metal–Insulator–Semiconductor High‐Electron‐Mobility Transistors
von: Tian Luo, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Date, Mihir, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Formation of Ultra-High-Resistance Au/Ti/p-GaN Junctions and the Applications in AlGaN/GaN HEMTs
von: Zhou, Guangnan, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblenda
von: H. Hernández-Cocoletzi
Veröffentlicht: (2006)

Boosting Single‐Photon Extraction Efficiency in GaN Through Radiative Mode Conversion
von: Kee Suk Hong, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Numerical Investigation of Quasi‐Vertical GaN‐on‐Si MOSFET Incorporating AlGaN/GaN Polarization Interface and AlGaN Functional Layer
von: Zijun Lin, et al.
Veröffentlicht: (2026)

Dynamic Modulation of Electronic and Optical Properties in GaN Bilayers by Interlayer Sliding
von: Kim, Heeju, et al.
Veröffentlicht: (2025)