Scalable thru-hole epitaxy of GaN through self-adjusting $h$-BN masks via solution-processed 2D stacks

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Ha, Jongwoo, Choi, Minah, Yang, Jieun, Kim, Chinkyo
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2025
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