Scalable thru-hole epitaxy of GaN through self-adjusting $h$-BN masks via solution-processed 2D stacks

Fuente: arXiv
Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Ha, Jongwoo, Choi, Minah, Yang, Jieun, Kim, Chinkyo
Formato: Preprint
Publicado: 2025
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