Pressure-Driven Metallicity in Ångström-Thickness 2D Bismuth and Layer-Selective Ohmic Contact to MoS2

Ähnliche Einträge

• Computational Design of Two-Dimensional MoSi$_2$N$_4$ Family Field-Effect Transistor for Future Ångström-Scale CMOS Technology Nodes
  von: Tho, Che Chen, et al.
  Veröffentlicht: (2025)
• Chips in the Flatland : 2D Semiconductors for Future Computing Electronic
  von: Trakarnvanich, Narin, et al.
  Veröffentlicht: (2026)
• Computational design of two‐dimensional MA 2 Z 4 family field‐effect transistor for future Ångström‐scale CMOS technology nodes
  von: Che Chen Tho, et al.
  Veröffentlicht: (2025)
• Bilayer TeO2: The First Oxide Semiconductor with Symmetric Sub-5-nm NMOS and PMOS
  von: Xu, Linqiang, et al.
  Veröffentlicht: (2024)
• Ab Initio Device-Driven Screening of Sub-1-nm Thickness Oxide Semiconductors for Future CMOS Technology Nodes
  von: Xu, Linqiang, et al.
  Veröffentlicht: (2024)