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Study of electronic band alignment in SiGeSn/GeSn quantum well via internal photoemission effect

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Rudie, Justin, Tran, Huong, Zhang, Yang, Amoah, Sylvester, Acharya, Sudip, Stanchu, Hryhorii, Mortazavi, Mansour, Morgan, Timothy A., Forcherio, Gregory T., Sun, Greg, Salamo, Gregory, Du, Wei, Yu, Shui-Qing
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Applied Physics
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