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On the origin of the E1 electron trap level in GaN and dilute AlxGa1-xN films

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Kruszewski, Piotr, Coutinho, Jose, Markevich, Vladimir P., Prystawko, Pawel, Sun, Lijie, Plesiewicz, Jerzy, Dawe, Chris A., Halsall, Matthew P., Peaker, Anthony R.
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2025
Schlagworte:
Materials Science
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