Uniaxial stress tuning of interfacial thermal conductance in cubic BAs/4H-SiC heterostructures
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Zhang, Lei, Tian, Fei, Chen, Ke, Yan, Zhongbo, Cao, Kun |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2025
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Enhancing interfacial thermal conductance in Si/Diamond heterostructures by phonon bridge
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025)
Ultrahigh interfacial thermal conductance for cooling gallium oxide electronics using cubic boron arsenide
di: Zhou, Wenjiang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhou, Wenjiang, et al.
Pubblicazione: (2025)
Atomic-scale order enables high thermal boundary conductance at $β$-Ga$_2$O$_3$/4H-SiC interfaces
di: Yang, Hongao, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Yang, Hongao, et al.
Pubblicazione: (2026)
Surface Structuring of Patterned 4H-SiC Surfaces Using a SiC/Si/SiC Sandwich Approach
di: Jousseaume, Yann, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jousseaume, Yann, et al.
Pubblicazione: (2024)
Probing the ideal limit of interfacial thermal conductance in two-dimensional van der Waals heterostructures
di: Liang, Ting, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Liang, Ting, et al.
Pubblicazione: (2025)
Host dependence of PL5 ensemble in 4H-SiC
di: Li, Jiajun, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Li, Jiajun, et al.
Pubblicazione: (2025)
Universal thermometry of solid-liquid interfacial thermal conductance
di: Chen, Tao, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Chen, Tao, et al.
Pubblicazione: (2026)
Measurements of dislocations in 4H-SiC with rocking curve imaging
di: Khaliq, Ahmar, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Khaliq, Ahmar, et al.
Pubblicazione: (2024)
TCAD Parameters for 4H-SiC: A Review
di: Burin, Jürgen, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Burin, Jürgen, et al.
Pubblicazione: (2024)
Polarity Effect on the Heteroepitaxial Growth of BxC on 4H-SiC by CVD
di: Cauwet, François, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Cauwet, François, et al.
Pubblicazione: (2024)
Uniaxial stress tuning of the anomalous Hall effect in Mn3Ge
di: Lombardi, G. A., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Lombardi, G. A., et al.
Pubblicazione: (2025)
Epitaxially-stabilized growth of wüstite FeO on 4H-SiC
di: Kimbugwe, Faisal, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Kimbugwe, Faisal, et al.
Pubblicazione: (2025)
Unraveling the electronic structure of silicon vacancy centers in 4H-SiC
di: Younesi, Ali Tayefeh, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Younesi, Ali Tayefeh, et al.
Pubblicazione: (2026)
Effect of edge dislocations on structural and electric properties of 4H-SiC
di: Łażewski, Jan, et al.
Pubblicazione: (2015)
di: Łażewski, Jan, et al.
Pubblicazione: (2015)
Comparative study of divacancies in 3C-, 4H- and 6H-SiC
di: Shafizade, Danial, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shafizade, Danial, et al.
Pubblicazione: (2025)
High‐Performance GaN/BAs Heterojunctions: Dual Functionality of BAs for Enhanced Electrical and Thermal Management in Power Electronics
di: Shenglin Lu, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Shenglin Lu, et al.
Pubblicazione: (2025)
Modeling of silver transport in cubic SiC: Integrating molecular dynamics, bounds averaging, and uncertainty quantification
di: AbdulHameed, Mohamed, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: AbdulHameed, Mohamed, et al.
Pubblicazione: (2025)
Accounting for the length-scale dependence of thermal diffusivity in 3C-SiC measured with transient thermal gratings
di: Vasudeva, Keshav, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Vasudeva, Keshav, et al.
Pubblicazione: (2026)
Nickel intercalation in epitaxial graphene on SiC(0001): a novel platform for engineering two-dimensional heterostructures
di: Vlamidis, Ylea, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Vlamidis, Ylea, et al.
Pubblicazione: (2026)
The Chlorine Vacancy in 4H-SiC: An NV-like Defect With Telecom Emission
di: Bulancea-Lindvall, Oscar, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Bulancea-Lindvall, Oscar, et al.
Pubblicazione: (2023)
Thermochromic Properties of 3C-, 6H- and 4H-SiC Polytypes up to 500$^\circ$C
di: Ferro, Gabriel, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Ferro, Gabriel, et al.
Pubblicazione: (2024)
Exploring the energy landscape of aluminas through machine learning interatomic potential
di: Zhang, Lei, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhang, Lei, et al.
Pubblicazione: (2024)
Controlled Spalling of Single Crystal 4H-SiC Bulk Substrates
di: Horn, Connor P, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Horn, Connor P, et al.
Pubblicazione: (2024)
Theory of the divacancy in 4H-SiC: Impact of Jahn-Teller effect on optical properties
di: Žalandauskas, Vytautas, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Žalandauskas, Vytautas, et al.
Pubblicazione: (2024)
Individual Characterization of Fast-Responding Trap States at the NO-Annealed SiO$_2$/4H-SiC Interface
di: Ono, Takahiro, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Ono, Takahiro, et al.
Pubblicazione: (2026)
Controlled fabrication of freestanding monolayer SiC by electron irradiation
di: Da, Yunli, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Da, Yunli, et al.
Pubblicazione: (2024)
SiC-TGAP: A machine learning interatomic potential for radiation damage simulations in 3C-SiC
di: Hamedani, Ali, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Hamedani, Ali, et al.
Pubblicazione: (2025)
Emergence of electric-field-tunable interfacial ferromagnetism in 2D antiferromagnet heterostructures
di: Cheng, Guanghui, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Cheng, Guanghui, et al.
Pubblicazione: (2022)
Prolonging Carrier Lifetime in P-type 4H-SiC Epilayer by Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing
di: Zhang, Ruijun, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhang, Ruijun, et al.
Pubblicazione: (2024)
Density functional theory calculations for investigation of atomic structures of 4H-SiC/SiO$_2$ interface after NO annealing
di: Komatsu, Naoki, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Komatsu, Naoki, et al.
Pubblicazione: (2022)
Thermal conductivity of 3C-SiC from configuration space sampling
di: Jochym, Paweł T., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Jochym, Paweł T., et al.
Pubblicazione: (2025)
Temperature dependence of the AB-lines and Optical Properties of the Carbon-Antisite Vacancy Pair in 4H-SiC
di: Bulancea-Lindvall, Oscar, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Bulancea-Lindvall, Oscar, et al.
Pubblicazione: (2024)
The role of interfacial interactions and oxygen vacancies in tuning magnetic anisotropy in LaCrO$_{3}$/LaMnO$_{3}$ heterostructures
di: Zhang, Xuanyi, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhang, Xuanyi, et al.
Pubblicazione: (2024)
Uniaxial strain tuning of charge modulation and singularity in a kagome superconductor
di: Lin, Chun, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Lin, Chun, et al.
Pubblicazione: (2024)
Uniaxial stress enhanced anisotropic magnetoresistance and superconductivity in the kagome superconductor LaRu$_{3}$Si$_{2}$
di: Král, P., et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Král, P., et al.
Pubblicazione: (2026)
Uniaxial stress effect on the electronic structure of quantum materials
di: Jo, Na Hyun, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jo, Na Hyun, et al.
Pubblicazione: (2024)
Suppression of nucleation density in twisted graphene domains grown on graphene/SiC template by sequential thermal process
di: Yao, Yao, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Yao, Yao, et al.
Pubblicazione: (2024)
Optimal spin-qubit hallmarks of sulfur-vacancy defects in 4H-SiC: Design from first principles
di: Ortigoza, Marisol Alcántara, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Ortigoza, Marisol Alcántara, et al.
Pubblicazione: (2026)
Effects of localized laser-induced heating in the photoluminescence of silicon-vacancy color centers in 4H-SiC
di: Misiara, Adolfo, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Misiara, Adolfo, et al.
Pubblicazione: (2024)
Theoretical investigation of vacancy related defects at 4H-SiC(000$\bar{1}$)/SiO$_2$ interface after wet oxidation
di: Tsunasaki, Mukai, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Tsunasaki, Mukai, et al.
Pubblicazione: (2022)
Documenti analoghi
-
Enhancing interfacial thermal conductance in Si/Diamond heterostructures by phonon bridge
di: Yin, Ershuai, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Ultrahigh interfacial thermal conductance for cooling gallium oxide electronics using cubic boron arsenide
di: Zhou, Wenjiang, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Atomic-scale order enables high thermal boundary conductance at $β$-Ga$_2$O$_3$/4H-SiC interfaces
di: Yang, Hongao, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Surface Structuring of Patterned 4H-SiC Surfaces Using a SiC/Si/SiC Sandwich Approach
di: Jousseaume, Yann, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Probing the ideal limit of interfacial thermal conductance in two-dimensional van der Waals heterostructures
di: Liang, Ting, et al.
Pubblicazione: (2025)