High yield, low disorder Si/SiGe heterostructures for spin qubit devices manufactured in a BiCMOS pilot line

Fuente: arXiv

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Mistroni, Alberto, Lisker, Marco, Yamamoto, Yuji, Wen, Wei-Chen, Fidorra, Fabian, Tetzner, Henriette, Diebel, Laura K., Visser, Lino, Anupam, Spandan, Mourik, Vincent, Schreiber, Lars R., Bluhm, Hendrik, Bougeard, Dominique, Zoellner, Marvin H., Capellini, Giovanni, Reichmann, Felix
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Descripción
Descripción no disponible.

Ejemplares similares