High yield, low disorder Si/SiGe heterostructures for spin qubit devices manufactured in a BiCMOS pilot line

Fuente: arXiv

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Mistroni, Alberto, Lisker, Marco, Yamamoto, Yuji, Wen, Wei-Chen, Fidorra, Fabian, Tetzner, Henriette, Diebel, Laura K., Visser, Lino, Anupam, Spandan, Mourik, Vincent, Schreiber, Lars R., Bluhm, Hendrik, Bougeard, Dominique, Zoellner, Marvin H., Capellini, Giovanni, Reichmann, Felix
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2025
Soggetti:	Mesoscale and Nanoscale Physics Applied Physics
Accesso online:	Acceder al recurso
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