Subthreshold Swing Behavior in Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Transistors from Room to Cryogenic Temperatures

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Tang, Hongwei, Belmonte, Attilio, Lin, Dennis, Zhao, Ying, Beckers, Arnout, Verdonck, Patrick, Dekkers, Harold, Subhechha, Subhali, van Setten, Michiel, Chen, Zhuo, Kar, Gouri Sankar, Van Houdt, Jan, Afanas'ev, Valeri
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Materials Science Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2506.15238