Stacking-Dependent Electronic Properties in GaSe/GaTe Heterobilayers: A First-Principles Study

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Liu, Hsin-Yi, Wu, Jhao-Ying
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2506.17928