Electronic structure and defect properties of Bi-doped GaN: origins of photoluminescence and optical absorption

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Liu, Yujie, Navid, Ishtiaque Ahmed, Mi, Zetian, Kioupakis, Emmanouil
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Computational Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2507.01346