3D Atomic-Scale Metrology of Strain Relaxation and Roughness in Gate-All-Around (GAA) Transistors via Electron Ptychography
Fuente:
arXiv
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Preprint |
| Publicado: |
2025
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| Materias: | |
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